SEMITOP模块结合了带软反向恢复特性的快速二极管和具有低导通损耗的快速IGBT，以增加该模块在高频应用下的效率。为了易于并联，该IGBT被设计成没有拖尾电流且Vce,sat为正温度系数。动态特性表明，与过去的快速IGBT技术相比，Eoff减小高达30 ％。
为了减少电磁干扰和IGBT导通损耗，反并联二极管的反向恢复电流要小。正向电压低可以减少通态损耗。这个结果，与采用标准二极管相比，将带来更好的通态和更低的开关损耗。
SEMITOP?是一个绝缘的功率模块，只有12mm高，得益于采用了无基板技术，只需一个安装螺丝将其与散热片固定，然后自动焊接到 PCB上，因而可以被迅速地装配到一个复杂的电路中。压接技术和单一安装螺丝确保了低热阻，无机械应力的设计确保了大功率循环能力。单螺丝安装提供了一个快速简便的安装。经一项由17种不同认证和测试所组成的全面认证计划超过10000h的测试，模块的性能得到了证实。在Ts=80°C时，电流等级从30A/600V到54A/600V。
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